超高分辨率场发射扫描电子显微镜 SU9000
产品简介
详细信息
专门为电子束敏感样品和需极大300万倍稳定观察的*半导体器件，高分辨成像所设计。
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
专门为电子束敏感样品和需极大300万倍稳定观察的*半导体器件，高分辨成像所设计。
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。