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PSEL制冷型中子探测器系列采用LiF:ZnS:Ag闪烁体荧光屏,由极低噪声、高灵敏度ICCD或sCMOS芯片读出。中子成像应用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效区域的高分辨率闪烁体,并结合具有低噪声、快速读出4096×4096分辨率的sCMOS相机。衍射和小角散射应用使用26cm×20cm有效区域的高效闪烁体,并结合1306×1040分辨率的超低噪声ICCD相机,可实现单量子探测功能。通过将多个相机拼接在一起可以实现更大区域的探测。快中子系列不仅可以用于实验室密封源研究,也可用于研究反应堆设施。
高灵敏度中子ICCD 主要特点:
高灵敏度中子ICCD 应用:
高灵敏度中子ICCD 技术指标:
参数 | 中子ICCD | 中子sCMOS |
闪烁体 | LiF:ZnS:Ag | |
有效像元尺寸 | 200μm | 105 μm |
有效探测尺寸 | 20cm×26cm | 43cm×43cm |
帧速 | 0.6 fps | 5 fps |
动态范围 | >10000:1 | >20000:1 |
读出噪声 | <3 e- | 4e- |
增益 | >1000:1 | N/A |
门控宽度 | <1 ms @ 1kHz | N/A |
芯片制冷温度 | -20 ℃ | |
曝光时间(单帧) | 最长可达30分钟 | 最长可达1分钟 |
相机接口 | 千兆以太网 |
Li-6荧光屏来自于scintacor
特征 | 物理性质 |
屏幕类型 | ND |
磷光体类型 | 混合颗粒 |
发光颜色 | 蓝色 |
峰值波长 | 450nm |
衰减10% | 3.5μs |
余辉拖尾 | 低阶 |
X射线吸收 | 极低 |
紫外光吸收 | 宽带 |