PHI VersaProbe III是的扫描 X射线单色化的 XPS设备，具有**的大面积和微区分析能力。其设计需求是为快速地，空间分辨分析固体表面的元素和化学态组成。PHI VersaProbe III 结合的扫描单色化 X 射线和自动化样品控制以及分析区域识别系统，可在自动化环境下实现化学态成像和多点图谱分析功能。

技术的聚焦扫描型X射线束用于样品成像和分析，一个带有多通道探测器的半球形能量分析器，一个高性能低能氩溅射离子*，一个和技术的电荷补偿系统和一个大型五轴精密样品台。
为多种技术系统配置设计的。所有激发源法兰可安装和对准到一个共同的分析位置，扫描 X 射线单色器可与其他所选激发源结合以实现多种表面分析技术联用的功能，而且带有高真空样品制备腔室和样品传送杆，VersaProbe III 可支持***的研究项目。
提供可选配的的 Ar 气团簇离子束（GCIB）和 C60 溅射离子*用于有机和无机材料的表面清洁和薄膜深度剖析。
使用 X射线光电子能谱仪(XPS) 能够详细地分析元素和化学态，通常也被称为电子能谱化学分析仪（ESCA）。其一系列的功能提供了的高性能 XPS 薄膜分析（深度剖析）能力。系统的设计可自动分析不同类型的样品而无需更改仪器设置或参数设定。
基于一个超高真空分析腔室以保护样品不受污染，可以对材料表面、 薄膜结构和表面污染进行清晰准确的元素和化学态表征。
分析腔室由480 l/s 差分离子泵和钛升华泵 (TSP)抽真空。而系统的预抽气、 进样腔室抽气和对溅射离子*的差分抽气均由 67 l/s 的分子涡轮泵完成。由于该系统固有的真空清洁度，对于分析所有类型的样品，碳氢化合物和其他污染都被降低到*小水平。
PHI VersaProbe III 的系统控制和数据处理都是通过一台**PC完成，其基于Windows ® 操作系统和安装了**软件。

性能特点

的X射线源

PHI VersaProbe III 是由的高通量的X 射线源产生聚焦单色化的X射线束，可以在样品表面扫描。
的SXI ™扫描 X 射线成像

PHI VersaProbe III 可对样品表面采集 X射线激发的二次电子像，类似于扫描电镜采集的二次电子像。可用SXI 图像选取分析领域，以保证采集到的图谱即是所感兴趣的图像区域。通常1 到 5 秒即可采集一张SXI 图像。
名副其实的 X 射线光电子能谱

高分辨率 180 ° 半球形能量分析器提供功能**的 XPS 分析能力包括 XPS全谱扫描、面分布、深度剖析、线扫描和角分辨分析。
高性能，低能量氩气离子*

在高能量或低能量的离子作用下，氩气离子*可对样品表面进行清洁，以及进行 XPS 化学深度剖析。这个的功能使其可进行单分子层深度分辨率的溅射深度剖析。
与聚焦X射线束相应，这种离子*在溅射时可对样品进行小范围区域溅射，与传统的XPS系统相比可提高溅射速率。
的电荷中和/补偿能力

PHI VersaProbe III 配有一套的PHI 技术的双束电荷中和/补偿系统，其利用冷阴极电子流和氩离子溅射*产生的极低能离子可以对所有类型的样品进行荷电中和。
完备灵活的五轴样品台

五轴软件驱动的样品台可提供一个稳定的具有高度准确性和重复性的分析平台。X 和 Y ± 25mm的移动范围可探测到水平 50mm的样品表面而无需旋转。
常中心旋转的功能用于定位微区样品特征以进行离子刻蚀和分析。
20mm的 Z 轴移动范围使样品操作灵活。
0º 到 90º 的倾斜轴范围可实现角分辨XPS 测量（带有型号 279HCA 的样品装载）。
提供多种样品放置类型：

型号 190HC – 2 个：直径25.4 mm (1 inch.)，不锈钢样品托可放置直径达25.4 mm的样品。
型号 191HC – 2 个：直径25.4 mm (1 inch)，不锈钢样品托，有凹槽适宜放置粉状或块状样品。凹槽大小为 10 x 20 x 5 mm （0.4 x 0.8 x 0.2 inches）。
冷/热样品台选项

根据研发的需要，PHI VersaProbe III多功能的技术平台可选项配备：

10keV的C60离子*
双阳极，非单色X射线源
紫外线光源
95毫米的样品处理
热/冷样品处理
可选的AES电子*
真空转移平台 (Vacuum Transfer Vessel)

应用领域

Micro-Electronics 微电子, 电子封装
Polymer 高份子材料
Tribology 摩擦学
Magnetic 磁性材料, 硬盘, 蓝光光盘
Display Industries 显示工业
Graphene 石墨稀
Catalysis 催化剂
Energy related 能源产业
Glass 玻璃
Metal 金属
Ceramic 陶瓷
Semi-conductors 半导体
Bio-Medical 生医科学