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RTP-6经济型快速退火炉
RTP-6升温速率可达80℃/s。
RTP-6采用抛物线形的黄金反射面,可均匀热处理6英寸的圆晶。该系统可进行快速的热处理,适合热处理工艺的研究与开发。可用于半导体工艺中硅化物的形成以及半导体化合物的过程退火。
应用:
1. 离子注入后的活化退火 | |
2. 沉积氧化膜的退火 | |
3. 欧姆电极合金化 | |
4. PZT,SBT和其它铁电薄膜的结晶退火 | |
5. 硅化物及自对准硅化物的生成 | |
6. 发光元件,半导体激光基板的热处理 | |
7. 超浅结的生成 | |
8. 铁电电容器沉积 | |
9. 栅氧化膜的生成 |
特点: | |
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组成:
1. 红外金面反射炉 | |
2. 加热腔 | |
3. 可编程温控器 | |
4. 9个独立的加热区 | |
5. 跨度变换单元 | |
6. 气体管路系统 | |
7. 热气排出系统 | |
8. 炉体框架,开关板 | |
9. 高温计(可选) | |
10. 水冷机(可选) | |
11. 真空泵(可选) |
参数: