InP雪崩探测器

InP雪崩探测器

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具体成交价以合同协议为准
2023-12-13 20:12:44
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上海济物光电技术有限公司

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产品简介

近红外单光子探测器InP基雪崩光电二极管工作偏置电压高于击穿电压时（盖格模式），单光子入射到探测器上会产生宏观电流脉冲

详细介绍

近红外单光子探测器

 

InP 基雪崩光电二极管工作偏置电压高于击穿电压时（盖格模式），单光子入射到探测器上会产生宏观电流脉冲。结合适当的脉冲检测电路，该器件可检测波长范围为 0.9μm 至 1.2μm 的单光子。

 

应用

 

主要特点

  • 专为单光子计数应用而设计
  • 业界的 InGaAs(P)/InP 雪崩光电二极管
  • 集成三级 TEC，允许-50℃，无需外部制冷
  • 优化 0.9 至 1.2μm 波长

 

核心参数

参数 最小值 典型值 值 参数
击穿电压 Vb

Breakdown Voltage		 50 55/75 80 击穿电压 Vb

Breakdown Voltage
温度系数

Temp. dependence of Vb		 0.12 温度系数

Temp. dependence of Vb
探测效率

Detection Efficiency		 20 30 50 探测效率

Detection Efficiency
暗计数率

Dark Count Rate		 1 5 30 暗计数率

Dark Count Rate
光敏面直径

Effective Optical		 60/80/100 光敏面直径

Effective Optical
封装方式

Encapsulation		 TEC/TO 管壳 多模光纤 TO 管壳 封装方式

Encapsulation
型号

Model		 SGA-1064-60/-80/-100 SGA-F-1064 型号

Model

 

机械规格(MECHANISM SPECIFICATIONS)


 

       

引脚标号

功能描述

1

制冷器（+）

2

空

3

空

4

空

5

热敏电阻

6

 

7

器件（n）

8

器件（p）

9

制冷器（-）

备注：此表格对应的类型是单元器件 

 

 

产品管理(PRODUCT HANDLING)

单位：mm

 

雪崩光电二极管（APDs）对静电放电（ESD）很敏感，在处理这些器件是一定要注意防静电措施，在使用时带上静电手环等保护设备，防止器件的损坏。

 

提示

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