InGaAs单元探测器

InGaAs单元探测器

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具体成交价以合同协议为准
2023-12-13 20:19:35
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上海济物光电技术有限公司

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产品简介

InGaAs单元探测器

详细介绍

 

 

NIR-I型

NIR-II型

SWIR-I型

特性参数

典型值

备注

典型值

备注

典型值

备注

光敏面

直径

1mm

可订制

1mm

可订制

1mm

可订制

规模

单元

 

单元

 

单元

 

工作温度

-20 ~ +60 ℃

 

-20 ~ +60 ℃

 

-20 ~ +60 ℃

 

储存温度

-55 ~ +70 ℃

 

-55 ~ +70 ℃

 

-55 ~ +70 ℃

 

波段

0.9~1.7 μm

 

0.9~1.7 μm

 

1.0~2.5μm

 

峰值波长

1.55μm

 

1.55μm

 

2.2 μm

 

峰值量子

效率

≥90%

室温

≥90%

室温

≥70%

-20℃

峰值

应率

≥1.1 A/W

室温

≥1.1 A/W

室温

≥1.1 A/W

-20℃

器件阻抗

1.5×109Ω

室温

1.5×109Ω

室温

2.5×105Ω

-20℃

暗电流

≤8×10-12A

@-0.1V,室温

≤8×10-12A

@-0.1V,室温

≤4×10-7A

@-0.01V,-20℃

等效噪

声功率

≤3×10-14 W/Hz1/2

@1.55μm,室温

≤3×10-14 W/Hz1/2

@1.55μm,室温

≤4.5×10-13 W/Hz1/2

@2.2μm,-20℃

峰值

探测率

≥3×1012cm·Hz1/2/W

室温

≥3×1012cm·Hz1/2/W

室温

≥2×1011cm·Hz1/2/W

-20℃

封装形式

TO管壳

可订制

内部集成热电制冷器、TO-9管壳

可订制

内部集成热电制冷器、TO-9管壳

可订制

应用领域

定标、激光控制、光功率计等

光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等

光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等

产品特点

正照射结构、低噪声、低暗电流、大光敏区

正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器

正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器

 

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