手动镀膜系统
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深圳海创德科技有限公司
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反应离子刻蚀(RIE/ICP-RIE)
技术参数:
1 本底真空:10-7 Torr;
2 单基片设计,尺寸可定制;
3 基片可旋转并加热:300℃/500℃/800℃;
4 溅射:1-3支磁控溅射靶枪,可共溅射;
5 电子束蒸发:4-6坩埚
6 热蒸发:最多6蒸发源,包括有机物蒸发源;
7 可连接手套箱
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