化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是指高温环境下气态反应剂在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程，广泛应用于金属、氧化物、氮化物及碳化物等无机薄膜的制备。PECVD(Plasma Enhanced CVD)是借助射频使气体电离产生局部等离子体，等离子体活性可有效促进反应，从而降低反应温度，加快成膜速率。

技术参数：

1 基片尺寸可定制；

2 低温工艺：< 150℃ / 350℃；

3 多层式工艺气体导入，气体分布均匀；

4 独立MFC控制箱，可灵活扩充工艺气路；

5 基片内镀膜均匀性优于 ±5%；

6 可与手套箱集成；