对传统热蒸发技术难以实现的材料蒸发，可采用电子束蒸发(E-beam Evaporation)的方式来实现。不同于传统的辐射加热和电阻丝加热，高能电子束轰击可实现超过3000℃的局域高温，这使得绝大部分常用材料都可以被蒸发出来，甚至是高熔点的材料，例如，Pt，W，Mo，Ta以及一些氧化物，陶瓷材料等。矽碁提供的电子束蒸发源可承载1-6种不同的材料，实现多层膜工艺；蒸发源本身防污染设计，使得不同材料之间的交叉污染降到。

技术参数：

1 本底真空10^-7 Torr；

2 基片台可定制，单片或多片；

3 坩埚数量：1 ~ 6；

4 坩埚防污染设计；

5 石英晶振测量膜厚；

6 样品可旋转并加热至：300℃/500℃/800℃；

7 可配备离子束辅助沉积；

8 可配备快速进样室；

9 可与手套箱集成；

10 可根据用户要求将其它镀膜技术与电子束蒸发集成，例如磁控溅射，热蒸发等。

11 全自动控制系统